MOSFET IRFZ540N

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 72 nC
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Q10.00

Hay existencias

Agregar a lista de deseos Adding to wishlist Added to wishlist
SKUT66 Categoría

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

IRFZ540

IRFZ

Productos relacionados